EPC2033ENGR
EPC2033ENGR
Número de pieza:
EPC2033ENGR
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15274 Pieces
Ficha de datos:
EPC2033ENGR.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EPC2033ENGR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EPC2033ENGR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar EPC2033ENGR con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 9mA
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-EPC2033ENGR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2033ENGR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1140pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios