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EMZ51T2R
- Número de pieza:
- EMZ51T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19522 Pieces
- Ficha de datos:
- EMZ51T2R.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EMZ51T2R, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EMZ51T2R por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 20V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | NPN, PNP |
| Paquete del dispositivo: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | EMZ51T2RTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | EMZ51T2R |
| Frecuencia - Transición: | 400MHz, 350MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 20V 200mA 400MHz, 350MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Descripción: | TRANS NPN/PNP 20V 0.2A EMT6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1mA, 6V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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