EMA6DXV5T1G
EMA6DXV5T1G
Número de pieza:
EMA6DXV5T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12114 Pieces
Ficha de datos:
EMA6DXV5T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-553
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):47k
Potencia - Max:230mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-553
Otros nombres:EMA6DXV5T1GOSTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EMA6DXV5T1G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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