EFC4612R-TR
EFC4612R-TR
Número de pieza:
EFC4612R-TR
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12710 Pieces
Ficha de datos:
EFC4612R-TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:EFCP1313-4CC-037
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:45 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:4-XFBGA
Otros nombres:EFC4612R-TR-ND
EFC4612R-TROSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EFC4612R-TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 24V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:24V
Descripción:MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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