DMTH8012LK3-13
DMTH8012LK3-13
Número de pieza:
DMTH8012LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17989 Pieces
Ficha de datos:
DMTH8012LK3-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:DMTH8012LK3-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMTH8012LK3-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1949pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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