DMT6010LPS-13
DMT6010LPS-13
Número de pieza:
DMT6010LPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 13.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16805 Pieces
Ficha de datos:
DMT6010LPS-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI5060-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.2W (Ta), 113W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:DMT6010LPS-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMT6010LPS-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2090pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 13.5A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.5A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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