DMN63D1L-13
DMN63D1L-13
Número de pieza:
DMN63D1L-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12195 Pieces
Ficha de datos:
DMN63D1L-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-23
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):370mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN63D1L-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.3nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:380mA (Ta)
Email:[email protected]

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