DMN3015LSD-13
DMN3015LSD-13
Número de pieza:
DMN3015LSD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15064 Pieces
Ficha de datos:
DMN3015LSD-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 12A, 10V
Potencia - Max:1.2W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:DMN3015LSD-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN3015LSD-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1415pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25.1nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.4A (Ta) 1.2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.4A (Ta)
Email:[email protected]

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