DMG4511SK4-13
Número de pieza:
DMG4511SK4-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16102 Pieces
Ficha de datos:
DMG4511SK4-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:TO-252-4L
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 8A, 10V
Potencia - Max:1.54W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Otros nombres:DMG4511SK4-13DITR
DMG4511SK413
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG4511SK4-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.7nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel, Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:35V
Descripción:MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5.3A, 5A
Email:[email protected]

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