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DHG10I1200PM
- Número de pieza:
- DHG10I1200PM
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12726 Pieces
- Ficha de datos:
- DHG10I1200PM.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DHG10I1200PM, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DHG10I1200PM por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.69V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220FPAC |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 75ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DHG10I1200PM |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Through Hole TO-220FPAC |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 15µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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