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DBD10G-TM-E
- Número de pieza:
- DBD10G-TM-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13642 Pieces
- Ficha de datos:
- DBD10G-TM-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DBD10G-TM-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DBD10G-TM-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 600V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.05V @ 500mA |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, Gull Wing |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DBD10G-TM-E |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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