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DB106G
- Número de pieza:
- DB106G
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE BRIDGE 800V 1A DB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18907 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.DB106G.pdf2.DB106G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DB106G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DB106G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 800V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 1A |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | DB |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Otros nombres: | DB106GGN |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DB106G |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DB |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE BRIDGE 800V 1A DB |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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