CYD09S36V18-200BBXI
CYD09S36V18-200BBXI
Número de pieza:
CYD09S36V18-200BBXI
Fabricante:
Cypress Semiconductor
Descripción:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16924 Pieces
Ficha de datos:
CYD09S36V18-200BBXI.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Paquete del dispositivo:256-FBGA (17x17)
Velocidad:200MHz
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:256-LBGA
Otros nombres:CYD09S36V18200BBXI
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):5 (48 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:9Mb (256K x 36)
Formato de memoria:SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:28 Weeks
Número de pieza del fabricante:CYD09S36V18-200BBXI
Interfaz:Parallel
Descripción:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Email:[email protected]

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