CSD87334Q3DT
Número de pieza:
CSD87334Q3DT
Fabricante:
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15631 Pieces
Ficha de datos:
CSD87334Q3DT.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 12A, 8V
Potencia - Max:6W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-42468-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:25 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD87334Q3DT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1260pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.3nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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