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CSD85312Q3E
- Número de pieza:
- CSD85312Q3E
- Fabricante:
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18673 Pieces
- Ficha de datos:
- CSD85312Q3E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSD85312Q3E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSD85312Q3E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Potencia - Max: | 2.5W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | CSD85312Q3E-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD85312Q3E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2390pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15.2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 39A |
| Email: | [email protected] |
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