CSD25304W1015T
Número de pieza:
CSD25304W1015T
Fabricante:
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14377 Pieces
Ficha de datos:
CSD25304W1015T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.15V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-DSBGA
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):750mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UFBGA, DSBGA
Otros nombres:296-38024-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD25304W1015T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:595pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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