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CMPDM303NH TR
- Número de pieza:
- CMPDM303NH TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18134 Pieces
- Ficha de datos:
- CMPDM303NH TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CMPDM303NH TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CMPDM303NH TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23F |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Otros nombres: | CMPDM303NH DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CMPDM303NH TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 590pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 3.6A (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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