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CMLDM8120G TR
- Número de pieza:
- CMLDM8120G TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17090 Pieces
- Ficha de datos:
- CMLDM8120G TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CMLDM8120G TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CMLDM8120G TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CMLDM8120G TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 16V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.56nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 860mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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