BYWB29-200HE3/45
BYWB29-200HE3/45
Número de pieza:
BYWB29-200HE3/45
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15275 Pieces
Ficha de datos:
1.BYWB29-200HE3/45.pdf2.BYWB29-200HE3/45.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.3V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:TO-263AB
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):25ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:30 Weeks
Número de pieza del fabricante:BYWB29-200HE3/45
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263AB
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):8A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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