BUK9Y19-55B,115
BUK9Y19-55B,115
Número de pieza:
BUK9Y19-55B,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12311 Pieces
Ficha de datos:
BUK9Y19-55B,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±15V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:LFPAK56, Power-SO8
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:17.3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):85W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-100, SOT-669
Otros nombres:1727-4941-2
568-6235-2
568-6235-2-ND
934058366115
BUK9Y19-55B T/R
BUK9Y19-55B T/R-ND
BUK9Y19-55B,115-ND
BUK9Y1955B115
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BUK9Y19-55B,115
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1992pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 55V 46A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción:MOSFET N-CH 55V 46A LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

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