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BSZ110N08NS5ATMA1
- Número de pieza:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Descripción:
- MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16772 Pieces
- Ficha de datos:
- BSZ110N08NS5ATMA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSZ110N08NS5ATMA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSZ110N08NS5ATMA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.8V @ 22µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 50W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | BSZ110N08NS5ATMA1-ND BSZ110N08NS5ATMA1TR SP001154280 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSZ110N08NS5ATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 80V 40A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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