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BSP316PE6327
- Número de pieza:
- BSP316PE6327
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15208 Pieces
- Ficha de datos:
- BSP316PE6327.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSP316PE6327, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSP316PE6327 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 170µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 680mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-261-4, TO-261AA |
| Otros nombres: | BSP316PE6327INTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BSP316PE6327 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 146pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 100V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 680mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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