BSP299H6327XUSA1
BSP299H6327XUSA1
Número de pieza:
BSP299H6327XUSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12949 Pieces
Ficha de datos:
BSP299H6327XUSA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-SOT223-4
Serie:SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs:4 Ohm @ 400mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:BSP299H6327XUSA1-ND
BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSP299H6327XUSA1
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:400mA (Ta)
Email:[email protected]

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