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BSO615N G
- Número de pieza:
- BSO615N G
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15664 Pieces
- Ficha de datos:
- BSO615N G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BSO615N G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BSO615N G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO615NGINDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BSO615N G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
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