BSM080D12P2C008
BSM080D12P2C008
Número de pieza:
BSM080D12P2C008
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
SIC POWER MODULE-1200V-80A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13780 Pieces
Ficha de datos:
BSM080D12P2C008.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 13.2mA
Paquete del dispositivo:Module
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
Potencia - Max:600W
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:Module
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSM080D12P2C008
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A 600W Chassis Mount Module
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:SIC POWER MODULE-1200V-80A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A
Email:[email protected]

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