BSC072N03LD G
BSC072N03LD G
Número de pieza:
BSC072N03LD G
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13249 Pieces
Ficha de datos:
1.BSC072N03LD G.pdf2.BSC072N03LD G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.2 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:57W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:BSC072N03LD G-ND
BSC072N03LD GTR
BSC072N03LDG
BSC072N03LDGATMA1
SP000359607
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:BSC072N03LD G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A
Email:[email protected]

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