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BLP8G10S-45PGY
- Número de pieza:
- BLP8G10S-45PGY
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12530 Pieces
- Ficha de datos:
- BLP8G10S-45PGY.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLP8G10S-45PGY, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLP8G10S-45PGY por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Paquete del dispositivo: | 4-HSOP |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 2.5W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Otros nombres: | 568-12813-2 934067372518 BLP8G10S-45PGY-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BLP8G10S-45PGY |
| Ganancia: | 20.8dB |
| Frecuencia: | 952.5MHz ~ 957.5MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOP |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 224mA |
| Email: | [email protected] |
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