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BLP27M810Z
- Número de pieza:
- BLP27M810Z
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16147 Pieces
- Ficha de datos:
- BLP27M810Z.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLP27M810Z, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLP27M810Z por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Paquete del dispositivo: | 16-HVSON (4x6) |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | 1603-1032-2 934069736515 BLP27M810Z-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BLP27M810Z |
| Ganancia: | 17dB |
| Frecuencia: | 2.14GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 110mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (4x6) |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN |
| Valoración actual: | - |
| Corriente - Prueba: | 110mA |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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