Comprar BLF6G27LS-50BN,118 con BYCHPS
Compre con garantía
BLF6G27LS-50BN,118
- Número de pieza:
- BLF6G27LS-50BN,118
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12460 Pieces
- Ficha de datos:
- BLF6G27LS-50BN,118.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLF6G27LS-50BN,118, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLF6G27LS-50BN,118 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | CDFM6 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 3W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-1112B |
| Otros nombres: | 934064687118 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BLF6G27LS-50BN,118 |
| Ganancia: | 16.5dB |
| Frecuencia: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 430mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 16.5dB 3W CDFM6 |
| Descripción: | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B |
| Valoración actual: | 12A |
| Corriente - Prueba: | 430mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLF6G27LS-50BN,118
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB092707FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Investigación |
 |
MPF102 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 20MA TO92 | Investigación |
 |
BLF6G20S-230PRN:11 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B | Investigación |
 |
BLF6G10LS-200,118 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | Investigación |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | Investigación |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | Investigación |
 |
BF904R,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 | Investigación |
 |
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | Investigación |
|
BLF6G27LS-100,118 | NXP USA Inc. | TRANS PWR LDMOS SOT502 | Investigación |
|
BLF6G10LS-200,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | Investigación |
 |
MRF8P20100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers