Comprar BLF521,112 con BYCHPS
Compre con garantía
BLF521,112
- Número de pieza:
- BLF521,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET NCHA 40V 13DB SOT172D
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12603 Pieces
- Ficha de datos:
- BLF521,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLF521,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLF521,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 12.5V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 40V |
| Tipo de transistor: | N-Channel |
| Paquete del dispositivo: | CRDB4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 2W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | SOT-172D |
| Otros nombres: | 933978500112 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BLF521,112 |
| Ganancia: | 13dB |
| Frecuencia: | 500MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet N-Channel 12.5V 10mA 500MHz 13dB 2W CRDB4 |
| Descripción: | RF FET NCHA 40V 13DB SOT172D |
| Valoración actual: | 1A |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLF521,112
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF5S21100HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S | Investigación |
 |
MRF5S19060MR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 | Investigación |
 |
ATF-531P8-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC | Investigación |
|
MRF5S21150HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 | Investigación |
 |
MRF5S9070NR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 | Investigación |
 |
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | Investigación |
 |
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Investigación |
 |
MRF6VP3450HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230 | Investigación |
|
MW6S010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO270-2 | Investigación |
 |
PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers