Comprar BLF368,112 con BYCHPS
Compre con garantía
BLF368,112
- Número de pieza:
- BLF368,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18744 Pieces
- Ficha de datos:
- BLF368,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLF368,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLF368,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 32V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Paquete del dispositivo: | CDFM4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 300W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | SOT-262A1 |
| Otros nombres: | 568-2390 933978490112 BLF368 BLF368-ND |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BLF368,112 |
| Ganancia: | 13.5dB |
| Frecuencia: | 225MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 32V 250mA 225MHz 13.5dB 300W CDFM4 |
| Descripción: | RF FET 2 NC 65V 13.5DB SOT262A1 |
| Valoración actual: | 25A |
| Corriente - Prueba: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BLF368,112
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF9060LSR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Investigación |
 |
BF908,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B | Investigación |
 |
BLF6G24-180PN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A | Investigación |
 |
ATF-33143-TR2G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | Investigación |
 |
BLF7G27LS-150P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B | Investigación |
 |
SHF-0189 | RFMD | FET RF 9V 1.96GHZ SOT-89 | Investigación |
 |
PTFA261301E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2 | Investigación |
 |
3SK264-5-TG-E | ON Semiconductor | FET RF 15V 200MHZ CP4 | Investigación |
 |
MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 860MHZ | Investigación |
 |
MAGX-001214-650L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers