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BLD6G21L-50,112
- Número de pieza:
- BLD6G21L-50,112
- Fabricante:
- Ampleon
- Descripción:
- RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18663 Pieces
- Ficha de datos:
- BLD6G21L-50,112.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BLD6G21L-50,112, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BLD6G21L-50,112 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 28V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Paquete del dispositivo: | CDFM4 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 8W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-1130A |
| Otros nombres: | 568-8663-5 934063508112 BLD6G21L-50,112-ND BLD6G21L50112 |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BLD6G21L-50,112 |
| Ganancia: | 14.5dB |
| Frecuencia: | 2.02GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.02GHz 14.5dB 8W CDFM4 |
| Descripción: | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A |
| Valoración actual: | 10.2A |
| Corriente - Prueba: | 170mA |
| Email: | [email protected] |
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