BFL4001-1EX
BFL4001-1EX
Número de pieza:
BFL4001-1EX
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12483 Pieces
Ficha de datos:
BFL4001-1EX.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
La disipación de energía (máximo):2W (Ta), 37W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:150°C (TA)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:BFL4001-1EX
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:44nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 6.5A (Ta) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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