BD681G
BD681G
Número de pieza:
BD681G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12260 Pieces
Ficha de datos:
BD681G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
Tipo de transistor:NPN - Darlington
Paquete del dispositivo:TO-225AA
Serie:-
Potencia - Max:40W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-225AA, TO-126-3
Otros nombres:BD681GOS
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:BD681G
Frecuencia - Transición:-
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
Descripción:TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:750 @ 1.5A, 3V
Corriente - corte del colector (Max):500µA
Corriente - colector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

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