BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G
Número de pieza:
BC856BDW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12787 Pieces
Ficha de datos:
BC856BDW1T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):65V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor:2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Potencia - Max:380mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:BC856BDW1T1G-ND
BC856BDW1T1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:BC856BDW1T1G
Frecuencia - Transición:100MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descripción:TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):15nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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