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BAS116E6327HTSA1
- Número de pieza:
- BAS116E6327HTSA1
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18377 Pieces
- Ficha de datos:
- BAS116E6327HTSA1.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BAS116E6327HTSA1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BAS116E6327HTSA1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 150mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT23-3 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 1.5µs |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BAS 116 E6327 BAS 116 E6327-ND BAS 116 E6327TR-ND BAS116E6327 BAS116E6327BTSA1 BAS116E6327XT SP000010194 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | BAS116E6327HTSA1 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5nA @ 75V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 250mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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