AUIRFN7110TR
Número de pieza:
AUIRFN7110TR
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16461 Pieces
Ficha de datos:
AUIRFN7110TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6)
Serie:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14.5 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):4.3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:SP001517416
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:AUIRFN7110TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:74nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 58A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET NCH 100V 58A PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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