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APTM10DHM09T3G
- Número de pieza:
- APTM10DHM09T3G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13932 Pieces
- Ficha de datos:
- APTM10DHM09T3G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para APTM10DHM09T3G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para APTM10DHM09T3G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SP3 |
| Serie: | POWER MOS V® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Potencia - Max: | 390W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | APTM10DHM09T3G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 139A |
| Email: | [email protected] |
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