APT6040BNG
Número de pieza:
APT6040BNG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18753 Pieces
Ficha de datos:
APT6040BNG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247AD
Serie:POWER MOS IV®
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):310W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT6040BNG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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