APT40SM120S
APT40SM120S
Número de pieza:
APT40SM120S
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20327 Pieces
Ficha de datos:
APT40SM120S.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA (Typ)
Vgs (Max):+25V, -10V
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo:D3Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 20A, 20V
La disipación de energía (máximo):273W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT40SM120S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2560pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:130nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 41A (Tc) 273W (Tc) Surface Mount D3Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:41A (Tc)
Email:[email protected]

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