APT38F50J
APT38F50J
Número de pieza:
APT38F50J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15817 Pieces
Ficha de datos:
APT38F50J.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:100 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo):355W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT38F50J
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 38A 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A
Email:[email protected]

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