APT20N60BC3G
APT20N60BC3G
Número de pieza:
APT20N60BC3G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17450 Pieces
Ficha de datos:
APT20N60BC3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247-3
Serie:CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 13.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):208W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:APT20N60BC3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2440pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:114nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20.7A (Tc)
Email:[email protected]

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