AOT7S60L
Número de pieza:
AOT7S60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16327 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT7S60L.pdf2.AOT7S60L.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para AOT7S60L, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para AOT7S60L por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar AOT7S60L con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.9V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:600 mOhm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):104W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:785-1269-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT7S60L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:372pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 7A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios