AON6912A
AON6912A
Número de pieza:
AON6912A
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18873 Pieces
Ficha de datos:
1.AON6912A.pdf2.AON6912A.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-DFN (5x6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:13.7 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max:1.9W, 2.1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AON6912A
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:910pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 13.8A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A, 13.8A
Email:[email protected]

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