AON6362
AON6362
Número de pieza:
AON6362
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 27A DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15638 Pieces
Ficha de datos:
1.AON6362.pdf2.AON6362.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (5x6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):6.2W (Ta), 31W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerSMD, Flat Leads
Otros nombres:785-1741-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AON6362
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 27A (Ta), 60A (Tc) 6.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 27A DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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