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AON6200L
- Número de pieza:
- AON6200L
- Fabricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12112 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.AON6200L.pdf2.AON6200L.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para AON6200L, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para AON6200L por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-DFN (5x6) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.95W (Ta), 35W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | 785-1397-2 AON6200 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | AON6200L |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 13A (Ta), 24A (Tc) 1.95W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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