AON5802B
AON5802B
Número de pieza:
AON5802B
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18795 Pieces
Ficha de datos:
1.AON5802B.pdf2.AON5802B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-DFN-EP (2x5)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:19 mOhm @ 7A, 4.5V
Potencia - Max:1.6W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AON5802B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.2A
Email:[email protected]

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