AON4407_003
AON4407_003
Número de pieza:
AON4407_003
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14156 Pieces
Ficha de datos:
AON4407_003.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:850mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (3x3)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AON4407_003
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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