AOD4C60
AOD4C60
Número de pieza:
AOD4C60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14314 Pieces
Ficha de datos:
1.AOD4C60.pdf2.AOD4C60.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:950 mOhm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOD4C60
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:910pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 4A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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