3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
Número de pieza:
3LP01M-TL-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 0.1A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12648 Pieces
Ficha de datos:
3LP01M-TL-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:3-MCP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10.4 Ohm @ 50mA, 4V
La disipación de energía (máximo):150mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:3LP01M-TL-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1.43nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 0.1A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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